| 专利名称: | 自举式-互补传输门电荷恢复低功耗电路结构 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 01120680.2 |
| 申请日期: | 2001-07-26 |
| 专利号: | CN1399407 |
| 第一发明人: | 李晓民 罗家俊 仇玉林 陈潮枢 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 一种自举式—互补传输门电荷恢复低功耗电路结构，包括：第一、第二PMOS管源极和衬底接脉冲电源，门极和漏极接A1结点和B1结点；第一、第二NMOS管漏极接B1结点，源极接地门极接输入信号；第三NMOS管源极接B1结点，门极接脉冲电源，漏极接B2结点；第三PMOS管源极接B1结点，门极接反相脉冲电源，漏极接B2结点，衬底接直流电压；第四NMOS管源极接A1结点，门极接脉冲电源，漏极接A2结点；第四PMOS管源极接A1结点，门极接反相脉冲电源，漏极接A2结点，衬底接直流电压；第五NMOS管源极接脉冲电源，门极接B2结点，漏极接输出结点C；第六NMOS管源极接脉冲电源，门极接A2结点，漏极接输出结点D；所述的NMOS管的衬底均接地。 |
| 其它备注: | |
科研产出