| 专利名称: | 高性能双极结型光栅晶体管及其制造方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 02120354.7 |
| 申请日期: | 2002-05-23 |
| 专利号: | CN1459874 |
| 第一发明人: | 金湘亮 陈杰 仇玉林 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
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| 专利摘要: | 本发明一种高性能双极结型光栅晶体管，该种结构可在p型或n型硅片上实现，制作在p型硅片引入p+n注入结将信号读出的器件结构，其中包括：一p型硅片；一层二氧化硅，外延生长在p型硅片上；一金属层制作在二氧化硅上；在MOS电容一旁的硅片上引入p+n注入结；入射光通过栅极到达硅片与二氧化硅接触面转化为信号电荷存储在势阱中，势阱中产生的信号电荷一方面在外加电场作用下漂移读出，同时引入注入结注入极性相反的电荷与信号电荷形成复合电流将信号电荷读出。 |
| 其它备注: | |
科研产出