| 专利名称: | 制备深亚微米栅的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 02126923.8 |
| 申请日期: | 2002-07-26 |
| 专利号: | CN1471135 |
| 第一发明人: | 刘训春 李无暇 王润海 罗明雄 石华芬 |
| 其它发明人: | |
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| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 一种制备深亚微米栅的方法，其步骤为：1)在基片上淀积氮化硅和二氧化硅复合膜；光刻生成胶膜图形，使其一边位于器件源漏中间；腐蚀二氧化硅的暴露部分并使形成侧蚀；2)蒸发金属；通过剥离工艺，去除胶上的金属；3)采用等离子体刻蚀，利用金属对等离子体刻蚀的掩蔽作用以及二氧化硅刻蚀速率比氮化硅刻蚀速率慢的原理，在金属边沿与二氧化硅接壤的缝隙中刻蚀氮化硅，形成具有深亚微米线宽尺度的窗口图形；4)采用光刻工艺，在位于上述器件源漏之间的具有深亚微米线宽尺度的窗口上套刻形成一较宽的上小下大的栅窗口胶图形；5)经栅槽腐蚀后，蒸发栅金属；6)剥离后形成栅极，还可根据需要，保留或去除栅下面的氮化硅。 |
| 其它备注: | |
科研产出