| 专利名称: | 凹槽平面双栅结构MOS器件及制造方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 02142108.0 |
| 申请日期: | 2002-08-26 |
| 专利号: | CN1479355 |
| 第一发明人: | 卓铭 徐秋霞 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
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| 专利授权日期: | |
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| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本发明一种凹槽平面双栅结构MOS器件及制造方法，该器件包括：一衬底；一氧化硅层，该氧化硅层淀积在衬底上，使得整个器件与衬底相隔离；两个栅电极形成在氧化硅层，该两个栅电极之间形成有一沟道；源电极、漏电极形成在上面的一栅电极两侧，并且高出沟道的表面。 |
| 其它备注: | |
科研产出