| 专利名称: | 可获得纳米T型栅的高电子迁移率晶体管的制作方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 03140921.0 |
| 申请日期: | 2003-06-05 |
| 专利号: | CN1553487 |
| 第一发明人: | 谢常青 叶甜春 陈大鹏 李 兵 |
| 其它发明人: | |
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| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 一种可获得纳米T型栅的高电子迁移率晶体管的制作工艺，其工艺 步骤如下：1.在砷化镓异质结等芯片上光刻有源区图形；2.离子注 入或湿法腐蚀制作台面；3.淀积绝缘层；4.光刻栅图形；5.各向 异性刻蚀绝缘层；6.各向同性刻蚀绝缘层；7.涂底层光刻胶；8. 减薄底层光刻胶；9.10. 去除绝缘层图形；11.腐蚀窗口中栅槽下面的N+区；12.蒸发、剥 离栅金属；13.钝化并开连线窗口，完成器件制作。 |
| 其它备注: | |
科研产出