| 专利名称: | X射线光刻对准标记图形 |
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| 申请号: | 03148990.7 |
| 申请日期: | 2003-07-03 |
| 专利号: | CN1567096 |
| 第一发明人: | 谢常青 叶甜春 陈大鹏 李兵 |
| 其它发明人: | |
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| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本发明涉及一套X射线光刻对准标记图形，包括X射线掩模上用于对准的被指定测量图形和半导体基片上用于对准的被指定测量图形。本发明通过采用多线坐标值平均的方法来降低X射线掩模对准标记图形、半导体基片对准标记图形的定位和识别误差，降低X射线光刻的对准误差，提高X射线光刻的对准精度。 |
| 其它备注: | |
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