| 专利名称: | 一种高密度等离子体工艺装置 |
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| 申请号: | 95209870.9 |
| 申请日期: | 1995-05-11 |
| 专利号: | CN2249451 |
| 第一发明人: | 刘训春 叶甜春 李晓民 王守武 钱鹤 徐维江 曹振亚 张学 |
| 其它发明人: | |
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| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本实用新型公开了一种由低压气体腔的腔座、绝缘罩以及射频线圈等部分组成，用于半导体精细加工的高密度等离子体工艺装置。该装置采用多阶层的塔状绝缘罩体，并使连续连接的一组多匝射频线圈按上下顺序围绕在塔状罩体的各阶层外壁上，其顶层与最下层线圈的线端经匹配电路与一射频电源相连。这样的装置能在更低气压范围内稳定地产生高密度等离子体。 |
| 其它备注: | |
科研产出