| 专利名称: | CMOS工艺中射频信号的集成静电释放保护电路 |
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| 申请号: | 200610001710.1 |
| 申请日期: | 2006-01-23 |
| 专利号: | CN101009277 |
| 第一发明人: | 郭慧民 陈 杰 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明属于微电子学与固体电子学领域的超大规模集成电路设计， 是一种CMOS工艺中实现射频信号的集成静电释放保护电路。其中的静 电释放保护电路可采用传统的静电保护电路实现，设计中将由静电释放 保护电路带来的寄生电容统一考虑在输入匹配电路中，由焊盘和静电释 放保护电路引起的寄生电容，用于阻抗匹配的片上电容和片上电感共同 构成匹配网络，从而同时实现ESD保护电路和输入输出阻抗匹配。阻抗 匹配电路中的电容和电感由片上电容和电感实现。这种将静电释放保护 电路和阻抗匹配集成在一起设计的方法可以很大程度的降低静电释放保 护电路对射频信号的影响。 |
| 其它备注: | |
科研产出