| 专利名称: | 用于193nm光学光刻的侧墙铬衰减型移相掩模制作方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200610003068.0 |
| 申请日期: | 2006-02-08 |
| 专利号: | CN101017322 |
| 第一发明人: | 谢常青 刘 明 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
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| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 一种用于193nm光学光刻的侧墙铬衰减型移相掩模制作方法，其工艺 步骤如下：1.在熔石英衬基表面上淀积衰减型移相层薄膜；2.在衰减 型移相层薄膜表面上甩电子束光刻胶，并进行电子束光刻、显影；3.各 向异性刻蚀衰减型移相层薄膜；4.去除电子束光刻胶；5.在衰减型移 相层薄膜表面上大面积淀积吸收体材料铬；6.各向同性刻蚀吸收体材料 铬；7.清洗；8.特征尺寸及相对定位测量；9.缺陷检测与修补；10. 衰减型移相器检测；11.安装表面粘贴膜，完成侧墙铬衰减型移相掩模 的制作。 |
| 其它备注: | |
科研产出