专利名称: 高速率半导体光发射组件的封装结构及方法
专利类别:
申请号: 200610003069.5
申请日期: 2006-02-08
专利号: CN101017956
第一发明人: 吴德馨 杨成樾 李宝霞
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要: 本发明主要涉及光纤通信领域,特别是一种高速率半导体光发射组
件的封装结构及方法。结构包括;带有射频连接头的蝶形管壳、半导体
致冷器、KOVAR金属热沉、介质热沉基片、光发射器件、热敏电阻、背
光检测探测器、用互连金丝连接直流接线电极和管壳引脚,用金丝或金
带连接介质热沉基片和介质基片上的共面波导传输线,以及光学耦合组
件。方法包括:直流端口在管壳外部采用等间距排列的BTF标准封装形
式;高频端口采用射频连接头;光学组件部分采用的是分离式调整;还
具有热敏电阻和背光探测器便于监视半导体激光器的工作状态;带有半
导体致冷器,用于对光发射芯片的工作温度进行控制。
其它备注: