| 专利名称: | 一种纳米级库仑岛结构的制备方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200610012129.X |
| 申请日期: | 2006-06-07 |
| 专利号: | CN101086966 |
| 第一发明人: | 龙世兵 陈杰智 李志刚 刘 明 陈宝钦 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
| 缴费情况: | |
| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本发明公开了一种纳米级库仑岛结构的制备方法，包括：A.在衬底 的导电层上涂敷电子抗蚀剂；B.对涂敷的电子抗蚀剂进行前烘；C.对电 子抗蚀剂进行电子束直写曝光；D.对曝光后的抗蚀剂进行显影；E.对显 影后的电子抗蚀剂进行定影；F.将定影后的电子抗蚀剂作为掩模刻蚀导 电层，在导电层上得到纳米级的库仑岛结构；G.对得到的库仑岛结构进 行去胶和高温干氧氧化处理，得到更小尺寸的纳米级库仑岛结构。利用本 发明，简化了制备工艺，降低了制备成本，提高了制备效率，并提高了制 备库仑岛结构的可靠性。本发明提供的制备方法具有与传统CMOS工艺兼 容的优点，有利于本发明的广泛推广和应用。 |
| 其它备注: | |
科研产出