| 专利名称: | 一种硅基平面侧栅单电子晶体管及其制作方法 |
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| 申请号: | 200610012246.6 |
| 申请日期: | 2006-06-14 |
| 专利号: | CN101090134 |
| 第一发明人: | 龙世兵 陈杰智 李志刚 刘 明 陈宝钦 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种硅基平面侧栅单电子晶体管，包括：库仑岛，位于 库仑岛两侧的源和漏，连接库仑岛与源和漏的两个隧道结，位于库仑岛两 侧且垂直于源和漏所在方向上的两个侧栅，源上沉积的源电极，漏上沉积 的漏电极，以及侧栅上沉积的栅电极。本发明同时公开了一种硅基平面侧 栅单电子晶体管的制作方法。利用本发明，大大提高了单电子晶体管的可 靠性及与传统CMOS工艺的兼容性，并简化了制作工艺，降低了制作成本， 提高了制作效率，非常有利于本发明的广泛推广和应用。 |
| 其它备注: | |
科研产出