| 专利名称: | 一种金属纳米晶薄膜的制备方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200610109562.5 |
| 申请日期: | 2006-08-10 |
| 专利号: | CN101122006 |
| 第一发明人: | 龙世兵 李志刚 刘 明 陈宝钦 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种金属纳米晶薄膜的制备方法，该方法包括：A.在 绝缘衬底上淀积一层金属薄膜；B.在惰性气体中高温快速退火，形成分 离的金属纳米晶薄膜。利用本发明制备的金属纳米晶薄膜，具有很好的电 荷俘获和存储特性，能够与传统的硅平面工艺兼容，非常适合于适于制作 高性能的半导体存储器件。利用本发明提供的制备金属纳米晶薄膜的方 法，大大简化了制备工艺，降低了制备成本，提高了工艺稳定性和制备效 率，非常有利于本发明的广泛推广和应用。 |
| 其它备注: | |
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