| 专利名称: | 一种SOI基顶栅单电子晶体管及其制备方法 |
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| 申请号: | 200610109563.X |
| 申请日期: | 2006-08-10 |
| 专利号: | CN101123273 |
| 第一发明人: | 龙世兵 王 琴 陈杰智 刘 明 陈宝钦 |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种绝缘体上硅SOI基顶栅单电子晶体管，该单电子晶 体管包括：库仑岛、位于库仑岛两侧的源和漏、连接库仑岛与源的隧道结、 连接库仑岛与漏的隧道结、位于库仑岛上面的栅介质和多晶硅栅、源上沉 积的源电极、漏上沉积的漏电极、以及顶栅上沉积的顶栅栅电极。本发明 同时公开了一种SOI基顶栅单电子晶体管的制作方法。利用本发明，大大 提高了单电子晶体管的可靠性及与传统CMOS工艺的兼容性，简化了制作 工艺，降低了制作成本，提高了工艺稳定性和制作效率，非常有利于本发 明的广泛推广和应用。另外，本发明非常适合于制作单电子晶体管，能够 获得较高的操作温度，同时对高速操作也非常有利。 |
| 其它备注: | |
科研产出