| 专利名称: | 一种氮化镓基场效应管及其制作方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200610127867.9 |
| 申请日期: | 2006-09-22 |
| 专利号: | CN101150144 |
| 第一发明人: | 刘新宇 刘果果 郑英奎 李诚瞻 刘 键 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种GaN基场效应管，该GaN基场效应管包括：栅极， 位于栅极两侧的源极和漏极；其中，栅极、源极和漏极位于衬底材料顶层 AlGaN外延层上，源极与AlGaN外延层以及漏极与AlGaN外延层之间通 过退火合金形成欧姆接触；在源极和漏极之间的AlGaN外延层上通过刻 蚀形成有细的栅槽，在源极和漏极之间的AlGaN外延层及栅槽上淀积有 AlN或Al2O3薄膜，所述栅极通过光刻和蒸发形成在栅槽上淀积的AlN或 Al2O3薄膜上。本发明同时公开了一种GaN基场效应管的制作方法。利用 本发明，有效地解决了AlGaN表面态存在导致器件产生电流崩塌以及栅 反向漏电增大的问题。 |
| 其它备注: | |
科研产出