| 专利名称: | 一种晶体管T型纳米栅的制备方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710063374.8 |
| 申请日期: | 2007-01-10 |
| 专利号: | CN101221903 |
| 第一发明人: | 刘 亮 张海英 刘训春 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种晶体管T型纳米栅的制备方法，包括：A.在清洗 干净的外延片上匀一层易于实现去胶和剥离的第一层电子束胶，然后前 烘；B.在所述第一层电子束胶上匀第二层电子束胶ZEP520A，然后前烘； C.在所述第二层电子束胶ZEP520A上匀一层易于实现去胶和剥离的第三 层电子束胶，然后前烘；D.在所述第三层电子束胶上匀第四层电子束胶 ZEP520A，然后前烘；E.进行栅帽版电子束曝光，依次显影第四层电子 束胶ZEP520A和第三层电子束胶；F.进行栅脚版电子束曝光，依次显影 第二层电子束胶ZEP520A和第一层电子束胶；G.腐蚀栅槽，蒸发栅金属 并剥离，形成晶体管T型纳米栅。利用本发明，容易制作出极小尺寸的栅 线条，可靠性强，不需要生长和刻蚀介质，大大减小了工艺难度。 |
| 其它备注: | |
科研产出