| 专利名称: | 双栅全耗尽SOI CMOS器件及其制备方法 |
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| 申请号: | 200710063371.4 |
| 申请日期: | 2007-01-10 |
| 专利号: | CN101221957 |
| 第一发明人: | 海潮和 毕津顺 孙海峰 韩郑生 赵立新 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及半导体集成电路及其制造技术领域，公开了一种双栅全耗 尽SOI CMOS器件，该器件包括硅衬底、埋氧层和形成在顶层硅膜中的n 型沟道场效应晶体管、p型沟道场效应晶体管及器件介质隔离。本发明同 时公开了一种制备双栅全耗尽SOI CMOS器件的方法。利用本发明，提高 了源漏击穿电压和沟道区载流子迁移率，降低了工艺复杂程度和器件性能 的波动。 |
| 其它备注: | |
科研产出