| 专利名称: | 一种制备交叉结构有机分子器件的方法 |
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| 申请号: | 200710062984.6 |
| 申请日期: | 2007-01-24 |
| 专利号: | CN101232077 |
| 第一发明人: | 涂德钰 刘 明 谢常青 朱效力 贾 锐 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及微电子学与分子电子学中的微细加工技术领域，公开了一 种制备交叉结构有机分子器件的方法，该方法包括：A.在基片表面上淀 积电介质薄膜；B.在电介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂，利用X射线光刻和 显影在抗蚀剂上得到电极图形；C.淀积金属，剥离得到下电极金属图形； D.生长有机分子薄膜；E.淀积上电极金属材料；F.旋涂抗蚀剂，X射 线光刻并显影，得到上电极图形；G.以抗蚀剂为掩蔽刻蚀，得到上电极； H.去胶，完成交叉有机分子器件的制备。利用本发明，有效地改善了交 叉结构有机分子器件的制备。 |
| 其它备注: | |
科研产出