专利名称: | 一种二氧化碳超临界干燥装置 |
专利类别: | |
申请号: | 200710064875.8 |
申请日期: | 2007-03-28 |
专利号: | CN101275806 |
第一发明人: | 李全宝 景玉鹏 陈大鹏 欧 毅 叶甜春 |
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实施情况: | |
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专利摘要: | 本发明涉及微电子技术中的微机电系统关键制造技术的牺牲层释放 技术领域,公开了一种二氧化碳超临界干燥装置,该装置包括:超临界干 燥室,用于牺牲层的释放,由高压反应室4和温度控制室5组成;高压反 应室4用于盛放硅片支架,提供二氧化碳置换和气化干燥的反应室,与二 氧化碳气瓶相连;温度控制室5通过盘管与高压反应室4相连,实现高压 反应室4的制冷和加热;分离减压室6,通过管道与高压反应室4相连, 用于将醇类和二氧化碳分离,并实现减压。利用本发明,解决了微细加工 中干燥时粘连的问题,并降低了液体二氧化碳的消耗量,达到了节约能源 和减少环境污染的目的。 |
其它备注: | |
科研产出