| 专利名称: | 采用一次电子束曝光制备晶体管T型纳米栅的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710064853.1 |
| 申请日期: | 2007-03-28 |
| 专利号: | CN101276749 |
| 第一发明人: | 刘 亮 张海英 刘训春 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种采用一次电子束曝光制备晶体管T型纳米栅的方 法，该方法包括：A、在清洗干净的外延片上匀一层易于实现去胶和剥离 的第一层电子束胶，然后前烘；B、在所述第一层电子束胶上匀第二层电 子束胶ZEP520A，然后前烘；C、在所述第二层电子束胶ZEP520A上匀 一层易于实现去胶和剥离的第三层电子束胶，然后前烘；D、在所述第三 层电子束胶上匀第四层电子束胶ZEP520A，然后前烘；E、进行栅版电子 束曝光；F、依次显影第四层电子束胶ZEP520A，易于实现去胶和剥离的 第三层电子束胶，第二层电子束胶ZEP520A和易于实现去胶和剥离的第 一层电子束胶；G、腐蚀栅槽，蒸发栅金属并剥离，形成晶体管T型纳米 栅。利用本发明，可靠性强，工艺简单，剥离和去胶容易。 |
| 其它备注: | |
科研产出