专利名称: 一种制作晶体管T型纳米栅的方法
专利类别:
申请号: 200710064866.9
申请日期: 2007-03-28
专利号: CN101276751
第一发明人: 刘 亮 张海英 刘训春
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
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实施情况:
专利证书号:
专利摘要: 本发明公开了一种制作晶体管T型纳米栅的方法,包括:A、在清洗
干净的外延片上匀一层易于实现去胶和剥离的第一层电子束胶,然后前
烘;B、在第一层电子束胶上匀第二层电子束胶ZEP520A,然后前烘;C、
在第二层电子束胶ZEP520A上匀一层易于实现去胶和剥离的第三层电子
束胶,然后前烘;D、在第三层电子束胶上匀第四层电子束胶UVIII,然
后前烘;E、进行栅帽版电子束曝光,依次显影第四层电子束胶UVIII和
易于实现去胶和剥离的第三层电子束胶;F、进行栅脚版电子束曝光,依
次显影第二层电子束胶ZEP520A和易于实现去胶和剥离的第一层电子束
胶;G、腐蚀栅槽,蒸发栅金属并剥离,形成晶体管T型纳米栅。利用本
发明,容易制作出极小尺寸的栅线条,大大减小了工艺难度。
其它备注: