| 专利名称: | 一种制备晶体管T型纳米栅的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710064874.3 |
| 申请日期: | 2007-03-28 |
| 专利号: | CN101276752 |
| 第一发明人: | 刘 亮 张海英 刘训春 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种制备晶体管T型纳米栅的方法，包括：A、在清洗 干净的外延片上匀一层易于实现去胶和剥离的第一层电子束胶，然后前 烘；B、在第一层电子束胶上匀第二层电子束胶ZEP520A，然后前烘；C、 在第二层电子束胶ZEP520A上匀一层易于实现去胶和剥离的第三层电子 束胶，然后前烘；D、在第三层电子束胶上匀第四层电子束胶ZEP520A， 然后前烘；E、进行栅脚版电子束曝光；F、进行栅帽版电子束曝光；G、 依次显影第四层电子束胶ZEP520A，第三层电子束胶，第二层电子束胶 ZEP520A和第一层电子束胶；H、腐蚀栅槽，蒸发栅金属并剥离，形成晶 体管T型纳米栅。利用本发明，容易制作出极小尺寸的栅线条，对准精度 高，可靠性强，不需要生长和刻蚀介质，大大减小了工艺难度。 |
| 其它备注: | |
科研产出