| 专利名称: | 一种基于SOI量子线的单电子晶体管及其制作方法 |
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| 申请号: | 200710064857.X |
| 申请日期: | 2007-03-28 |
| 专利号: | CN101276836 |
| 第一发明人: | 王 琴 李维龙 贾 锐 刘 明 叶甜春 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 一种基于SOI量子线的单电子晶体管及其制作方法。本发明的主要特 征是在SOI衬底上制备量子线，利用金属栅对量子线的势垒受限形成隧道 结和库仑岛，从而降低了微纳加工的难度，实现隧道结有效尺寸可调的单 电子晶体管。其主要工艺步骤如下：(a)离子注入及快速退火；(b)电子束光 刻，形成量子线图形；(c)干法刻蚀，将图形转移至SOI的顶层硅上；(d) 光刻；(e)蒸发金属，剥离，合金；(f)二次电子束套刻，形成栅图形；(g) 蒸发栅金属；(h)剥离，形成金属栅；采用本发明方法制备的基于SOI量子 线的单电子晶体管具有工艺难度低，可实行性高，易于大规模集成的优点。 |
| 其它备注: | |
科研产出