| 专利名称: | 一种纳米晶浮栅非挥发性存储器及其制作方法 |
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| 申请号: | 200710064867.3 |
| 申请日期: | 2007-03-28 |
| 专利号: | CN101276841 |
| 第一发明人: | 王 琴 贾 锐 李维龙 龙世兵 陈宝钦 刘 明 叶甜春 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及纳米电子器件及纳米加工技术领域，公开了一种纳米晶浮 栅非挥发性存储器，采用由硅基底、埋氧层和顶层硅构成的绝缘体上硅 (SOI)作为衬底材料，硅基底起支撑作用，埋氧层起绝缘隔离作用，利 用顶层硅形成该纳米晶浮栅非挥发性存储器的源、漏和沟道，在源漏上分 别淀积金属电极材料形成源极和漏极，在源漏之间的浮栅上淀积多晶硅形 成栅极。本发明同时公开了一种制作纳米晶浮栅非挥发性存储器的方法。 利用本发明，具有工艺灵活，设备简单，成本低廉，并且制备的纳米Au 颗粒直径可控，均匀性好，器件性能优良等诸多优点。 |
| 其它备注: | |
科研产出