| 专利名称: | 一种纳米晶浮栅结构的非挥发性存储单元及其制作方法 |
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| 申请号: | 200710099545.2 |
| 申请日期: | 2007-05-24 |
| 专利号: | CN101312213 |
| 第一发明人: | 胡 媛 刘 明 龙世兵 杨清华 管伟华 李志刚 刘 琦 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及微电子技术领域，公开了一种纳米晶浮栅结构的非挥发性 存储单元，包括：硅衬底1、位于硅衬底1两端上重掺杂的源导电区6和 漏导电区7、源导电区6与漏导电区7之间的载流子沟道上覆盖的隧穿介 质层2、覆盖在隧穿介质层上的纳米晶电荷存储层3、覆盖在纳米晶电荷 存储层上的控制栅介质层4以及覆盖在控制栅介质层上的栅材料层5。本 发明同时公开了一种制作纳米晶浮栅结构的非挥发性存储单元的方法。利 用本发明，提高了浮栅结构的非挥发性存储单元的编程/擦除速度、有效存 储能力、数据保持特性、编程/擦除耐受性等存储性能，本发明的方法基于 传统CMOS工艺，并且制作工艺简单，提高了制作效率，降低了制作成本。 |
| 其它备注: | |
科研产出