| 专利名称: | 一种制作金属纳米晶非挥发性存储器的方法 |
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| 申请号: | 200710117613.3 |
| 申请日期: | 2007-06-20 |
| 专利号: | CN101330008 |
| 第一发明人: | 管伟华 刘 明 龙世兵 李志刚 胡 媛 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及纳米电子器件及纳米加工技术领域，公开了一种制作金属 纳米晶非挥发性存储器的方法，该方法包括：A.在半导体衬底上形成一 层介电层；B.利用低能离子注入的方法将金属离子注入到所述介电层中； C.在惰性气体中对所述已经注入金属离子的介电层进行热退火处理，形 成金属纳米晶，作为电荷存储的节点。然后，在介电层上执行形成栅电极 和源、漏的工艺，制造完整的存储器晶体管。本发明工艺简单易行，成本 低，效率高，具有与传统的硅平面CMOS工艺兼容的优点，有利于本发明 的广泛推广和应用。 |
| 其它备注: | |
科研产出