| 专利名称: | 亚微米HBT发射极/HEMT栅空气桥引出的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710117614.8 |
| 申请日期: | 2007-06-20 |
| 专利号: | CN101330009 |
| 第一发明人: | 于进勇 金 智 程 伟 刘新宇 夏 洋 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种亚微米HBT发射极/HEMT栅空气桥引出的方法， 包括：在基片上涂一次光刻胶覆盖HBT发射极/HEMT栅；采用与HBT 发射极/HEMT栅相同或相似的掩膜版进行光刻、曝光、显影，制作空气 桥支撑；烘烤显影后的基片，使牺牲胶的边角圆滑并固化；在基片上涂二 次光刻胶；刻蚀或腐蚀二次光刻胶，露出HBT的发射极/HEMT栅金属； 烘烤刻蚀或腐蚀二次光刻胶的基片，使光刻胶固化；在基片上涂三次光刻 胶，然后烘烤、曝光、显影得到桥面；在基片表面蒸发/溅射一层金属材料； 剥离去除不需要的金属及所有光刻胶，形成空气桥。利用本发明，简化了 制作工艺，制作的可控性好，保证了金属互联不受光刻条件的限制，减少 了空气桥制作过程中对器件的损伤。 |
| 其它备注: | |
科研产出