| 专利名称: | 一种制作T型HBT发射极/HEMT栅的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710117615.2 |
| 申请日期: | 2007-06-20 |
| 专利号: | CN101330010 |
| 第一发明人: | 于进勇 金 智 程 伟 刘新宇 夏 洋 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及半导体器件及集成电路制造工艺技术领域，公开了一种制 作T型HBT发射极/HEMT栅的方法，该方法包括：在基片上涂一次光刻 胶，并光刻、曝光、显影、定义T型HBT发射极/HEMT栅的下半部分； 烘烤所述基片，使牺牲胶的边角圆滑并固化；涂二次光刻胶，并光刻、曝 光、显影，制作T型HBT发射极/HEMT栅的上部分；蒸发、溅射或电镀 一层金属，金属层的厚度大于一次光刻胶厚度；剥离去除不需要的金属以 及所有光刻胶，形成T型HBT发射极/HEMT栅。利用本发明，工艺简单， 成本低，可控性好，制作金属加厚的T型HBT发射极/HEMT栅更有优势。 |
| 其它备注: | |
科研产出