| 专利名称: | 一种纳米尺度图形的制作方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810223398.X |
| 申请日期: | 2008-09-27 |
| 专利号: | CN101382733 |
| 第一发明人: | 赵 珉 陈宝钦 刘 明 牛洁斌 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明是关于一种纳米尺度图形的制作方法，该方法包括以下步骤：A. 对待处理的衬底进行表面清洁及热处理；B.在衬底表面上涂敷电子束光刻 抗蚀剂层，并进行曝光前的预处理；C.对上述的电子束光刻抗蚀剂层按照 预设的图形在单线直写曝光模式下进行电子束直写曝光；D.对曝光后的电 子束光刻抗蚀剂进行显影、定影及干燥。本发明通过电子束直写单线曝光 模式在抗蚀剂层中形成纳米尺度图形结构，并可以通过后继相应的图形转 移工艺实现纳米尺度结构的制作。单线曝光模式避免了通常使用的面曝光 方式中曝光点均匀分布对图形分辨率的限制，实现了在平面上两个维度上 对曝光点分布的灵活调控，可以达到电子束直写曝光的极限分辨率。 |
| 其它备注: | |
科研产出