| 专利名称: | 一种ZnO背栅纳米线场效应管的制备方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810223353.2 |
| 申请日期: | 2008-09-26 |
| 专利号: | CN101383291 |
| 第一发明人: | 付晓君 张海英 徐静波 黎 明 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
| 缴费情况: | |
| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本发明涉及化合物半导体器件技术领域，具体涉及一种背栅ZnO纳米线场 效应管的制备方法。本发明采用ZnO纳米线作为场效应晶体管沟道，采用凹槽 和十字两种方法实现纳米线到器件衬底的沉积和定位，采用Ti/Au与ZnO沟道形 成欧姆接触，常规Liff-off的方法溅射形成Al2O3栅氧，利用P++型Si衬底作为场效 应管背栅。本发明具有成效明显，工艺简单易行，经济适用和可靠性强的优点， 容易在微波、毫米波化合物半导体器件及传感器的制作中采用和推广。 |
| 其它备注: | |
科研产出