| 专利名称: | 多介质复合隧穿层的纳米晶浮栅存储器及其制作方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710121370.0 |
| 申请日期: | 2007-09-05 |
| 专利号: | CN101383379 |
| 第一发明人: | 胡 媛 刘 明 龙世兵 杨清华 管伟华 李志刚 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及微电子技术领域，公开了一种多介质复合遂穿层的纳米晶 浮栅存储器，包括：硅衬底、硅衬底上重掺杂的源和漏导电区、源漏导电 区之间载流子沟道上覆盖的SiO2材料介质/高k材料介质/高k或SiO2材料 介质复合隧穿层、复合隧穿层上覆盖的纳米晶浮栅层、纳米晶浮栅层上覆 盖的高k材料或SiO2材料控制栅介质层、控制栅介质层上覆盖的栅材料层。 本发明同时公开了一种多介质复合遂穿层的纳米晶浮栅存储器的制作方 法。本发明综合改善了浮栅存储器的存储性能，提高了编程/擦除速度和耐 受性、数据保持特性，降低了编程/擦除电压和操作功耗，折衷了编程/擦 除效率和数据保持的矛盾，提高了集成度，且制作工艺简单。 |
| 其它备注: | |
科研产出