| 专利名称: | 基于增强型PHEMT的单刀单掷开关 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710121977.9 |
| 申请日期: | 2007-09-19 |
| 专利号: | CN101394174 |
| 第一发明人: | 徐静波 张海英 叶甜春 |
| 其它发明人: | |
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| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本发明涉及微波电路技术领域，公开了一种基于增强型PHEMT的单 刀单掷微波开关，该微波开关包括三个增强型赝配高电子迁移率场效应晶 体管E PHEMT、三个限流电阻R、两个隔直电容C和两个电压控制端。 利用本发明，只需要0～0.2V和正电压(1V)作为关断和导通的控制电平， 使微波开关和采用正向电压供电的控制电路和其它微波电路更好的实现 单片集成，提高了集成度和可实现性，降低了设计的复杂度和成本。 |
| 其它备注: | |
科研产出