专利名称: | TaN材料腐蚀溶液以及TaN材料腐蚀方法 |
专利类别: | |
申请号: | 200810223349.6 |
申请日期: | 2008-09-26 |
专利号: | CN101397499 |
第一发明人: | 李永亮 徐秋霞 |
其它发明人: | |
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专利摘要: | 本发明是关于一种TaN材料腐蚀溶液以及TaN材料腐蚀方法。该TaN 材料腐蚀溶液,以重量百分比计包括:NH4OH:1.47%-7.26%;H2O2: 3.00%-24.91%;以及余量的水。所述的TaN材料腐蚀方法,是对于厚度小 于400埃的TaN可采用光刻胶作为掩膜,先以重量百分含量为3.25%-10.44% 的HF、7.17%-21.95%的HNO3以及余量的水组成的溶液对TaN材料进行腐蚀, 再以重量百分含量为1.47%-7.26%的NH4OH,3.00%-24.91%的H2O2以及余量 的水组成的溶液对TaN材料进行腐蚀;对于厚度大于400埃的TaN,必须采 用硬掩膜,直接以重量百分含量为1.47%-7.26%的NH4OH,3.00%-24.91%的 H2O2以及余量的水组成的溶液对TaN材料进行腐蚀。 |
其它备注: | |
科研产出