| 专利名称: | 一种消除反应离子刻蚀自偏压的方法及系统 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810223342.4 |
| 申请日期: | 2008-09-26 |
| 专利号: | CN101399184 |
| 第一发明人: | 刘训春 王 佳 周宗义 李 兵 王建海 黄清华 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
| 缴费情况: | |
| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本发明公开了一种消除反应离子刻蚀自偏压的方法及系统，属于半导体加工制造 领域。所述方法是：在反应离子刻蚀的反应室的两个电极间并联一个由电感线圈L和 电容C组成的LC谐振回路，LC谐振回路的谐振频率与反应离子刻蚀的反应室的射频 供电电源的频率相同。所述系统包括射频供电模块、匹配器、等离子设备和消除自偏 压模块。本发明通过并联LC谐振回路，可以使常规反应离子刻蚀产生的自偏压通过 电感通路短路，进而使反应离子刻蚀的自偏电压降为零或接近于零，这样可以有效地 降低在反应离子刻蚀时引入的对半导体晶格造成的损伤。 |
| 其它备注: | |
科研产出