| 专利名称: | 非挥发存储器的制备方法 |
| 申请号: | 200810223341.X |
| 申请日期: | 2008-09-26 |
| 专利号: | CN101399208 |
| 第一发明人: | 朱晨昕 贾 锐 陈 晨 李维龙 李昊峰 王 琴 刘 明 |
| 专利摘要: | 本发明是关于一种非挥发存储器的制备方法，其包括以下步骤：在半 导体衬底上形成一层栅氧化层；采用电子束蒸发方式将硅粉末和二氧化铪 粉末的混合物蒸发至该栅氧化层上，再经高温热退火在形成纳米晶浮栅层； 在纳米晶浮栅层上形成栅电极；以及进行源、漏区掺杂，并进行源、漏电 极的形成工序。本发明提供的三端增强型MOS纳米晶浮栅型非挥发存储器 的制备方法工艺过程简单，制备成本低，有利于大规模集成。 |
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