| 专利名称: | 非挥发存储器的制备方法 |
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| 申请号: | 200810223345.8 |
| 申请日期: | 2008-09-26 |
| 专利号: | CN101399209 |
| 第一发明人: | 朱晨昕 贾 锐 李维龙 陈 晨 李昊峰 王 琴 刘 明 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明是关于一种非挥发存储器的制备方法，其包括以下步骤：A.在 半导体衬底上注入杂质形成沟道层；B.在沟道层上依次生长隧穿氧化层、 纳米晶浮栅层、栅氧化层，其中纳米晶浮栅层由快速热退火方法形成；C. 进行形成台面的工序；D.进行形成栅区以及分别形成源电极、漏电极和栅 电极的工序。通过采取快速热退火的方式得到纳米晶层，并采用与耗尽型 MOS器件制作工艺相兼容的流程最终可完成三端耗尽型MOS纳米晶浮栅型 非挥发存储器的制作。该方法简化了制备工艺，降低了制备成本，提高了 工艺稳定性和制备效率。 |
| 其它备注: | |
科研产出