| 专利名称: | 双层隧穿介质结构的纳米晶浮栅非易失存储器及制作方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710122479.6 |
| 申请日期: | 2007-09-26 |
| 专利号: | CN101399289 |
| 第一发明人: | 胡 媛 刘 明 龙世兵 杨清华 管伟华 李志刚 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及微电子技术领域，公开了一种双层隧穿介质结构的纳米晶 浮栅非易失存储器，包括：硅衬底1、硅衬底1上重掺杂的源导电区7和 漏导电区8、源漏导电区之间载流子沟道上覆盖的SiO2材料隧穿介质层2， SiO2材料隧穿介质层2上覆盖的高k材料隧穿介质层3、高k材料隧穿介 质层3上覆盖的纳米晶浮栅层4、纳米晶浮栅层4上覆盖的SiO2或高k材 料控制栅介质层5，以及控制栅介质层5上覆盖的栅材料层6。同时公开 了一种双层隧穿介质结构的纳米晶浮栅非易失存储器的制作方法。本发明 改善了浮栅结构非易失存储器的性能，提高了编程/擦除速度、耐受性和保 持特性，降低了编程/擦除的电压和功耗，折衷了编程/擦除效率和数据保 持的矛盾。 |
| 其它备注: | |
科研产出