| 专利名称: | 高密度硅纳米晶薄膜的制备方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810224677.8 |
| 申请日期: | 2008-10-23 |
| 专利号: | CN101414552 |
| 第一发明人: | 陈 晨 贾 锐 李维龙 朱晨昕 李昊峰 刘 明 田继红 路 程 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明是关于一种高密度硅纳米晶薄膜的制备方法，包括在硅衬底上 形成二氧化硅层；将一氧化硅作为靶材通过电子束蒸发法沉积至上述的二 氧化硅层上，形成混合物薄膜层；向上述的混合物薄膜层中注入硅离子；以 及将混合物薄膜层进行退火，形成高密度的硅纳米晶薄层。本发明通过电 子束蒸发一氧化硅靶材配合离子注入法制备高密度硅纳米晶薄膜，具有工 艺步骤简单、用途多、能与传统Si基CMOS工艺兼容的优点。采用本发明 提供的方法制备的硅纳米晶面密度高达：1012cm-1量级，颗粒直径在5～8 nm范围内。主要应用于硅基第三代太阳能电池芯片关键组件的制备、硅单 电子器件、单电子存储器、硅纳米晶浮栅存储器的制备等方面，适合大规 模生产的要求。 |
| 其它备注: | |
科研产出