| 专利名称: | 固态电解液阻变存储器及其制备方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810119971.2 |
| 申请日期: | 2008-10-20 |
| 专利号: | CN101414658 |
| 第一发明人: | 刘 明 管伟华 龙世兵 |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种固态电解液阻变存储器及其制备方法，属于微电子制造及存储 器技术领域。固态电解液阻变存储器包括衬底、绝缘衬底层、粘附层、下电极层、固 态电解液薄膜、上电极层以及保护层。下电极层的材料为在电场作用下性质稳定的金 属或导电化合物，如铂、金、钨或石墨中；上电极层的材料为在电场作用下易于被氧 化为金属离子的金属，如铜、银、铁、锌、镍、或汞；固态电解液薄膜的材料为氧化 锆、氧化铝、氧化硅、氧化铪、氧化钨或氧化钼中的一种。本发明具有结构简单、易 集成、成本低的优点。同时本发明的固态电解液阻变存储器制备方法具有工艺简单、 操作方便并可与传统的硅平面CMOS工艺兼容的优点，有利于广泛推广和应用。 |
| 其它备注: | |
科研产出