| 专利名称: | 利用电子束蒸发设备制备硅纳米晶体的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710176277.X |
| 申请日期: | 2007-10-24 |
| 专利号: | CN101418467 |
| 第一发明人: | 李维龙 贾 锐 刘 明 陈宝钦 龙世兵 谢常青 王 琴 涂德钰 刘 琦 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
| 缴费情况: | |
| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本发明涉及纳米加工技术领域，公开了一种利用电子束蒸发设备制备 硅纳米晶体的方法，该方法包括：在硅衬底上生长二氧化硅层；在该二氧 化硅层上蒸发一层非晶硅薄膜；对上述形成的包括硅衬底、二氧化硅层和 非晶硅薄膜的结构进行高温快速热退火。本发明提供的这种利用电子束蒸 发设备制备硅纳米晶体的方法，具有工艺步骤少、简单、稳定可靠、易于 大规模制造、能与传统的微电子工艺兼容的优点。 |
| 其它备注: | |
科研产出