| 专利名称: | 一种通过金属铬掩蔽膜进行干法刻蚀的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710176278.4 |
| 申请日期: | 2007-10-24 |
| 专利号: | CN101419400 |
| 第一发明人: | 李维龙 贾 锐 刘 明 陈宝钦 龙世兵 谢常青 王 琴 商利伟 涂德钰 刘 琦 陈 晨 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及半导体学中的微细加工技术领域，公开了一种通过金属铬 掩蔽膜进行干法刻蚀的方法，在需要刻蚀图形的衬底上先旋涂一层电子束 抗蚀剂，然后利用电子束曝光得到所需要的图形；再蒸发沉积一层金属 Cr层，使其覆盖光刻胶的全部表面；再通过剥离lift-off工艺将金属Cr剥 离，得到金属Cr掩蔽图形；再通过干法刻蚀，在衬底上得到所需要的图 形，完成对衬底的图形化。利用本发明，通过使用金属掩蔽膜来进行干法 刻蚀，使得掩蔽膜的去除快速、干净，为干法刻蚀的进一步发展奠定了重 要的基础。 |
| 其它备注: | |
科研产出