| 专利名称: | 电阻转变型存储器及其制造方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810238945.1 |
| 申请日期: | 2008-12-05 |
| 专利号: | CN101425559 |
| 第一发明人: | 刘 明 李颖弢 龙世兵 王 琴 王 艳 刘 琦 张 森 左青云 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明提供一种非易失性电阻转变型存储器，其中在电阻转变存储层与 电极之间设置有缓冲层，从而能够增加存储器的总电阻，进而减小存储器的 工作电流，而且缓冲层还可改善界面处的势垒高度，从而降低存储器的工作 电压，进而降低存储器的功耗。本发明提供的具有缓冲层结构的电阻转变型 存储器制造工艺简单、制作成本低并且与传统CMOS工艺兼容。相应地，本 发明还提供一种制造非易失性电阻转变型存储器的方法。 |
| 其它备注: | |
科研产出