| 专利名称: | 各向异性有机场效应管的制备方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810227862.2 |
| 申请日期: | 2008-12-01 |
| 专利号: | CN101425563 |
| 第一发明人: | 姬濯宇 刘 明 商立伟 王 宏 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及一种各向异性有机场效应管的制备方法，包括：在导电基底 上生长绝缘介质层薄膜形成绝缘层衬底；在绝缘层衬底上利用 Langmuir-Blodgett膜的成膜方式组装一层取向化的单分子薄膜形成取向层； 在图案化的衬底上沉积生长有机半导体薄膜形成有机半导体层；在有机半导 体层上通过镂空的掩模板沉积生长金属源漏电极。本发明工艺简单、人为可 控性高、重复性好，所制备得到的器件具有较高均匀性的制备高迁移率。 |
| 其它备注: | |
科研产出