| 专利名称: | 用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710176930.2 |
| 申请日期: | 2007-11-07 |
| 专利号: | CN101430503 |
| 第一发明人: | 涂德钰 刘 明 谢常青 刘新华 商立伟 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法，包括： 清洗基片，烘干；在基片上旋涂LOR型抗蚀剂作为双层胶的底层胶，烘 干；在LOR层上旋涂ZEP520型电子束抗蚀剂作为顶层胶，前烘；电子束 光刻，对顶层胶进行曝光；对曝光后的顶层胶进行显影、定影，吹干，得 到顶层胶光刻图形；利用顶层胶光刻图形做掩蔽，使用LOR腐蚀剂对底 层胶进行腐蚀，得到所需的内切图形；在得到的内切图形上蒸发金属；依 次去除顶层胶与底层胶，完成剥离工艺，得到所需金属图形。利用本发明， 解决了双层胶的内切结构变得模糊不清的问题，具有分辨率高、可靠性高、 重复性好等优点，在纳米电子器件制备中有着广泛的应用前景。 |
| 其它备注: | |
科研产出