| 专利名称: | 三维CMOS与分子开关器件的混合集成电路结构 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710176934.0 |
| 申请日期: | 2007-11-07 |
| 专利号: | CN101431070 |
| 第一发明人: | 涂德钰 刘 明 王 慰 商立伟 谢常青 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及微电子学与分子电子学中的纳米电路结构技术领域，公开 了一种三维CMOS与分子开关器件的混合集成电路结构，该结构从上至下 依次由顶层CMOS器件、分子开关器件和底层CMOS器件连接而成；所 述顶层CMOS器件通过通孔与分子开关器件上电极连接，底层CMOS器 件通过通孔与分子开关器件下电极连接，所述顶层CMOS器件与底层 CMOS器件键合连接在一起。利用本发明，避免了不在同一平面上的通孔 与上下电极的影响，同时将电路集成度提高了一倍，具有较高的创新意义 及实用价值。 |
| 其它备注: | |
科研产出