| 专利名称: | 一种制作自隔离电阻转变型存储器的方法 |
| 申请号: | 200710176935.5 |
| 申请日期: | 2007-11-07 |
| 专利号: | CN101431144 |
| 第一发明人: | 管伟华 龙世兵 刘 明 |
| 专利摘要: | 本发明涉及微电子制造及存储器技术领域，公开了一种制作自隔离电 阻转变型存储器的方法，包括：A.在绝缘衬底上形成导电薄膜作为下电 极；B.在形成下电极的结构上涂敷光刻胶；C.通过光刻方法在上述光刻 胶上定义器件的大小；D.依次生长具有电阻转变特性的材料和上电极；E. 通过剥离光刻胶的方法释放器件。本发明提供的这种采用一步剥离工艺制 作自隔离电阻转变型存储器的方法，具有成本低，制作流程简单，能实现 存储器器件单元自隔离的优点。 |
科研产出