| 专利名称: | 一种半导体制冷的超临界二氧化碳清洗装置 |
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| 申请号: | 200710178323.X |
| 申请日期: | 2007-11-28 |
| 专利号: | CN101447396 |
| 第一发明人: | 刘茂哲 高超群 李金宝 景玉鹏 李超波 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种半导体制冷的超临界二氧化碳清 洗装置，该装置包括：超临界清洗室，用于硅片的清洗，由高压反应 室4和温度控制室5组成；其中，所述高压反应室4位于温度控制室5 的上方，用于盛放硅片支架，提供二氧化碳气化清洗的反应室；温度 控制室5通过蒸发器盘管与高压反应室4相连，实现高压反应室4的 制冷和加热；分离减压室6，通过管道与高压反应室4相连，用于减压 后将醇类与二氧化碳分离，并循环使用；所述超临界清洗室与分离减 压室6通过支座台2固定连接。利用本发明，解决了微电子工艺中的 半导体清洗问题，并降低了对衬底的损伤，循环使用二氧化碳达到了 节约能源的目的。 |
| 其它备注: | |
科研产出