| 专利名称: | 一种制备高介电常数栅介质薄膜铪硅氧氮的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710178280.5 |
| 申请日期: | 2007-11-28 |
| 专利号: | CN101447420 |
| 第一发明人: | 许高博 徐秋霞 柴淑敏 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种制备高介电常数栅介质薄膜HfSiON的方法， 该方法包括：清洗硅片；对清洗后的硅片进行淀积前氧化；在氧化后 的硅片上淀积高介电常数的HfSiON栅介质薄膜；对淀积了HfSiON栅 介质薄膜的硅片进行超声清洗；对清洗后的硅片进行淀积后退火；在 退火后的硅片上形成金属栅。利用本发明，解决了随着小尺寸器件栅 介质厚度的减薄而带来栅介质漏电急剧上升和功耗严重增大的问题。 |
| 其它备注: | |
科研产出