| 专利名称: | 一种制备金属栅电极的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710178281.X |
| 申请日期: | 2007-11-28 |
| 专利号: | CN101447421 |
| 第一发明人: | 周华杰 徐秋霞 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
| 缴费情况: | |
| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本发明公开了一种用于超深亚微米技术互补金属氧化物半导体器 件以及电路的金属栅电极的制备方法，包括：局部氧化隔离或浅槽隔 离，进行注入前氧化，然后注入14N+；漂净注入前氧化膜，栅氧化， 并沉积多晶硅；光刻、刻蚀形成多晶硅栅电极；注入杂质，并进行杂 质激活；淀积金属镍Ni，退火硅化，使金属镍和多晶硅完全反应形成 全硅化物金属栅；选择去除未反应的金属镍Ni。利用本发明，达到了 调节栅电极的功函数的目的。 |
| 其它备注: | |
科研产出