| 专利名称: | 制作单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710178310.2 |
| 申请日期: | 2007-11-28 |
| 专利号: | CN101447449 |
| 第一发明人: | 徐静波 张海英 叶甜春 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种制作单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管的 方法，该方法依次包括以下工艺步骤：光刻PIN上电极、蒸发上电极 金属、剥离上电极金属、PIN台面腐蚀隔离、同时光刻PIN下电极和 PHEMT源漏，蒸发PIN下电极和PHEMT源漏金属、剥离PIN下电极 和PHEMT源漏金属、欧姆接触合金、PHEMT台面腐蚀隔离、PHEMT 栅光刻、栅槽腐蚀、蒸发栅金属、剥离栅金属、生长钝化介质、刻孔、 一次布线光刻、蒸发布线金属、剥离布线金属。本发明将GaAs基 PHEMT和PIN二极管集成在同一块衬底上，实现了单片集成GaAs基 PHEMT和PIN二极管。 |
| 其它备注: | |
科研产出